Hubert Heusner

Hubert Heusner Industrievertretungen und Handel - DCB Substrate
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DCB Substrate
direct copper bond subtrate or direct bond copper substrate                    flagge-grossbritannien.png

Broschüre

In Zusammenarbeit mit unseren Lieferanten verbesserter Logistik können wir Ihnen DCB´s als Einzelteil, Musterserie, Kleinserien und Großserie innerhalb von 4-5 Wochen liefern.

Metallisierungen für Lötverbindungen, Au Draht oder AL Draht und Sinterproezess realisieren wir gerne.
NiAu für die Lötverbindung und das Al Wire Bondig, NiPdAu für das Au Wire Bonding und Ag für den Sinterprozess  können aufgebracht werden.

DCB-Substrate (Direct Copper Bond) - oder auch DBC-Substrate (Direct Bond Copper) auf AL2O3 (Aluminiumoxid) und AIN (Aluminiumnitrid) werden bedingt durch die Vorteile der Keramik als Schaltungsträger meist in der Leistungselektronik, Lasertechnik, LED-Technik und Automobil-Elektronik eingesetzt. In der Hybrid-Automobiltechnik sind IGBT´s und MOSFET´s auf DBC-Substraten häufig im Einsatz.

Vorteile:

  • Hohe Temperaturbeständigkeit
  • Hohe Wärmeleitfähigkeit z.B. 24 W/mk Al2O3 und 180 W/mK AIN
  • Hohe Isolationsfestigkeit > 15 KV/mm
  • Geringer Ausdehnungskoeffizient, 6,8 ppm - AL2O3 und 4,0 ppm - AIN 
  • Excellente Haftung der Kupferschicht auch nach Temperaturzyklen
  • Gute mechanische Festigkeit und Stabilität
  • Hohe Stromtragfähigkeit bedingt durch 0,12mm; 0,2mm; 0,3mm und 0,4mm Kupferdicke

Mit unserer LVM (low volume manufacturing) DBC Programm können wir Ihnen für die Entwicklung, Labor und Forschung DCB´s ab der Losgröße 1 liefern. Sie können damit IGBT´s und MOSFET´s aufbauen um Lösungen für die Hybridautomobil Applikationen zu entwickeln.

Kleinserien und mittel große Serien sind unsere Stärke das bedeutet für Sie kurze Bearbeitungszeiten und Lieferzeiten. Sonderkeramikdicken und Kupferdicken auf Anfrage.

Eine pdf-Zeichung oder am besten das DXF-File reichen uns um Ihnen ein Angebot mit entsprechender Lieferzeit zu erstellen.

Weiter zu den Technischen Daten von unseren AL2O3 und AIN DCB Substraten

Lunkerfreie Lötstellen erhalten Sie wenn Ihre Substrate im Vakuum gelötet werden.
Informationen, siehe Dampfphasen-Vakuumlötanlagen und Kontaktwärme-Vakuumlötanlagen 

DBC Substrate für die Leistungs-Elektronik können in unterschiedlichen Keramik-dicken und mit unterschiedlichen Kupferdicken geliefert werden.
(Sonderdicken auf Anfrage)

  • Master Card Größe:       190,5 mm x 137,16 mm  /  7,5” x 5,4”  
  • Nutzbare Fläche:            177 mm x 124 mm  /   7“  x   4,88“
  • Keramik Toleranzen:     + 200 µm / - 50 µm
  • Dicken Toleranz ges.:    Keramik/Kupfer     + 7% / -10%
  • Oberflächen:  Cu oder Ni 2,5 µm typ., Au 0,05 µm – 0,7 µm
  • Selektiv Au metallisieren mit 0,03 µm  Pd Zwischenschicht
  • chemisch Silber 0,15 µm – 0,45 µm Schichtdicke
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Applikationen:  

  • Sehr gut lötbar
  • Al-Draht bondbar > Aluminiumdraht  75 µm- 500 µm dick
    mit entsprechendem Finish, siehe oben
     
  • Au-Draht bondbar > Golddraht Au 17,5 µm – 50 µm dick
    mit entsprechendem Finish, siehe oben
  • Betriebstemperaturen: - 55°C bis + 850°C 


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DBC Direct Bond Copper Substrates  > Aluminiumoxid - und Kupferdicken

  • AL2O3 Dicken        0,127 mm        0,203 mm        0,304 mm
    0,254 mm                    X                       X    
    0,381 mm                    X                       X                        X
    0,635 mm                    X                       X                        X
    1,016 mm                    X                       X                        X

  • Aluminiumoxid in anderen Dicken und Kupferlayer über 0,3 mm auf Anfrage
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DBC Direct Bond Copper Substrates  > Aluminiumnitrid - und Kupferdicken

  • AIN Dicken        0,127 mm        0,203 mm        0,304 mm
    0,381 mm                    X                       X                      
    0,635 mm                    X                       X                        X
    1,016 mm                    X                       X                        X

  • Aluminiumnitrid in anderen Dicken und Kupferlagen über 0,3 mm auf Anfrage
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Leiterbahnbreiten & Zwischenräume  /  Line & Spaces

Kupferdicke                 Leiterbahnbreite          Zwischenräume           Pitch
0,127 mm nominal            0,3 mm                       0,3 mm                       0,6 mm
0,127 mm minimal            0,254 mm                  0,254 mm                  0,508 mm
0,203 mm nominal            0,508 mm                  0,508 mm                  1,016 mm
0,203 mm minimal            0,406 mm                  0,406 mm                  0,816 mm
0,254 mm nominal            0,711 mm                  0,711 mm                  1,440 mm
0,254 mm minimal            0,508 mm                  0,508 mm                  1,016 mm
0,304 mm nominal            0,711 mm                  0,711 mm                  1,440 mm
0,304 mm minimal            0,508 mm                  0,508 mm                  1,016 mm

 

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 Ätztoleranzen  Kupfer   /   Cu Etching Tolerances    

  • Kupferdicke                     Leiterbahnbreite                    Zwischenräume
      0,127 mm                          +/- 0,127 mm                            +/- 0,100 mm
      0,203 mm                          +/- 0,152 mm                            +/- 0,100 mm
      0,254 mm                          +/- 0,203 mm                            +/- 0,152 mm
      0,304 mm                          +/- 0,203 mm                            +/- 0,152 mm


 

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DCB Substrate mit metallisierem Via

  • Unsere neue Technology DCB´s mit metallisierten Vias ermöglicht vielseitige Möglichen in der Leistungselektronik
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