Metallisierung

Broschüre Substrate

Für jedern Folgeprozess oder Einsatzgebiet Ihrer Leiterplatte, DCB Susbtrate, CPC Substrate oder PFCT Substrate erhalten Sie bei uns die passende Beschichtungen.

Unser Beschichtungen sind geeignet für Lötbare Oberflächen, Aluminiumdraht bondbare Oberflächen, Golddraht bondbare Oberflächen und Steckbare Oberflächen.

Chemisch Nickel / Palladium / Gold (Sudpalladium, ENIPIG) Qualitativ hochwertige Beschichtung für Gold- und Aluminiumdraht Bondverbindungen und sehr gute Löteigenschaften. Prozess: Nickel/Palladium/Gold Panelgröße max: 630 mm x650 mm Dicken von 0,5 mm bis 4,5 mm Schichtdicken: Ni 4 µm - 8 µm / Pd 0,01 µm - 0,04 µm / Sud-Au: 0,03 µ - 0,08 µm
Chemisch Nickel / Gold (Sudgold, ENIG) Aluminiumdraht bondbar und lötfähig, es sind auch mehrfach Lötungen möglich. Prozess: Chemisch Nickel / Gold (Sudgold) Panelgröße max: 630 mm x 550 mm Dicken von 0,5 mm - 4,5 mm Schichtdicken: Ni 4 µm - 8 µm / Sud-Au: 0,05 µ - 0,1 µm
Chemisch Zinn Sehr gute Löteigenschaften, Refreshbar Prozess: Chemisch Zinn Panelgröße max: 630 mm breit, mindest Größe 100 mm x 60 mm Dicke: 0,1 mm - 4,0 mm Schichtdicken: Sn 1 µm - 1,2 µm
OSP / Entek Plus HT Preiswerte lötbare Beschcihtung mit geringer Temperaturbelastung, Refreshbar Prozess: OSP / Entek Plus HT Panelgröße max: 630 mm breit, mindest Größe 100 mm x 60 mm Dicke: 0,1 mm - 5,0 mm Schichtdicken: Entek 0,2 µm - 0,6 µm
Galvanisch Nickel / Gold (Hartgold) Steckverbindungen mit optimaler Härte (Kobald legiert) und für Dekorative Beschichtung besten geeignet. Prozess: Galvanisch Nickel / Gold (Hartgold) Cobald legiert Panelgröße max: 610 mm - 550 mm Dicke: 0,5 mm - 3,0 mm Schichtdicken: Ni > 5 µm - 8 µm / Hartgold 0,2 µm - 2 µm

Für unser Platted Copper on Thick Film Technology and Thick Film Substrate stehen us die unten aufgeführten Materialien und Verfahren zur Verfügung.

* TF steht für Thick Film ( Ag-Dickschicht Silber)

** Neu ist das wir AuSn (Gold/Zinn) galvanisch in einer Schichtdicke von 2 µm - 75 µm aufbringen können.
    Sie sparen sich die Lötpreformteile und das Bestücken der Lötpreformteile.

*** Unsere Metallisierungstechnologie, Material und Schichtdicke wird nach Ihren Wünschen bzw. nach
      Erfordernissen für die Verbindungstechnologien wie Löten, Au-Wirebonding und Al-Wirebonding umgesetzt

PCTF (Plated Copper on Thick Film) Substrate, DBC (Direct Bond Copper) Substrate und LOW COST
AgENIG Thick Film Substrate werden von unserem Lieferanten metallisiert.

PCTF (Plated Copper on Thick Film) auf AL203 (Aluminiuoxid) und BeO (Berilliumoxid)
         1.  Ceramic-TF Ag (10-12 µm typical) - Electroplated Cu (15-75 µm) -
               Ni (2,54 µm typical) - Au (0,05 µm -1,27 µm)

         2. Ceramic-TF Ag (10-12 µm typical) - Electroplated Cu (15-75 µm) -
              Ni (2,54 µm typical) -  Electroless Pd (0,14 µm – 0,35 µm ) - Au (0,05 µm -1,27 µm)

AgENIG auf Aluminiumoxid (AL2O3) und Berilliumoxid (BeO), Low Cost Thick Film Substrates
         1. Ceramic-TF Ag (10-12 µm typical) - Electroless Ni (2,54 µm typical) - Au (0,05 µm - 0,1 µm)
              Note: Adding electroplated gold (0,254 µm - 1,27 µm) for wire bonding is optional

         2. Ceramic-TF Ag (10-12 µm typical) - Electroless Ni (2,54 µm typical) -
              Electroless Pd (0,1 µm - 0,35 µm) - Au (0,05 µm - 0,1 µm)

PCTF (Plated Copper on Thick Film) auf AlN (Aluminiumnitid)
         1. Ceramic- Thin Film Layer (Ti , etc)- Electroplated Cu (15-75 µm) - Ni (2,54 µm typical) -
              Au (0,05 µm -1,27 µm)

AgENIG auf AlN (Aluminiumnitrid), Low Cost Thick Film Substrates
         1. Ceramic-TF Ag (10-12 µm or more if needed)- Electroplated Ni (2,54 µm typical) - Electroplated Au (0,05 µm -              1,27 µm). It is not really a PCTF: there is no either copper as it is substituted by silver, double layers
               if  needed to improve electrical conductivity. It is not AgENIG either as electroless Ni and Immersion
               gold is substituted by electroplated Ni and gold.

         3. The same but added Pd layer to save on thick gold. Ceramic-TF Ag (10-12 µm or more if needed) -
              Electroplated Ni (2,54 µm typical) - Electroless Pd (0,14 µm – 0,35 µm) - Au (0,05 µm – 1,27 µm)

Metallisierungs-Schemen für Submounts
         1. Ceramic-TF Ag (15 µm) - Cu (50 µm) Electroplated – Ni (2,5) µm Electroplated - Au Electroless (0,5 µm) -
             AuSn Electroplated (5 µm ).

         2. Ceramic-TF Ag (15 µm)- Cu (50 µm)Electroplated – Ni (2,5) µm Electroplated - Au1 Electroless (0,25 µm) -
               Au2 Electroplated (1,0 µm ).

         3. TiW (0,1 µm) Electroless - Cu(25 µm) Electroplated – Ni (2,5) µm Electroplated - Au Electroless (0,5 µm) -
              AuSn Electroplated (5 µm ).

         4. TiW (0,1 µm) µm)- Cu(50 µm) Elektroplated – Ni (2,5) µm Electroplated - Au1 Electroless (0,25 µm) -
               Au2 (1,0 µm)

Metallisierung Schemen für DBC (Direct Bond Copper) Substrate
1. Ni (2,54 µm typical) - Au (0,05 µm -1,27 µm)

2. Ni (2,54 µm typical) - Electroless Pd (0,14 µm – 0,35 µm ) - Au (0,05 µm -1,27 µm)

3. Ni (2,5) µm Electroplated - Au Electroless (0,5 µm) - AuSn Electroplated (5 µm )

4. Chemisch Ag (Silber) - 0,15 µm - 0,45 µm

Auf Anfrage können ggf. auch andere Metallisierungen angeboten werden.

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