Advanced Interconnection
Technology (AIT) Ltd aus Manchester, England hat für Substrate die im
Leistungsbereich eingesetzt werden den Initiallayer modifiziert.
Außerdem wurde die Möglichkeit geschaffen
unterschiedliche Dicke Metallschichten in einer Schaltung zum Beispiel für
den Kontroller und den Leistungsbereich aufzubauen, Skizze siehe unten.
Wichtigste Vorteile
- KEINE Luftblasen unter der
Kupferfläche
- Unterschiedlich dicke Metallisierung auf
einem Substrate, z.B. 10 um bis 300 um
- Substrat mit Steckerfunktion
- Endmetallisierung nach Wunsch bzw.
Applikation
- Sehr gute Löteigenschaften, auch für
Hochtemperaturlöten
- Sehr gute Bondeigenschaften, Dünndraht
wie Dickdraht

Bei der Entwicklung von Powermodulen gibt es vier
sehr wichtige Kriterien
- Die notwendige Wärmeleitfähigkeit durch
das Substrat
- Gute Charakteristik bezüglich der
Wärmeverteilung
- Resistente Leiterbahnen für hohe Ein-
und Ausgangsströme
- Sicheres Fertigungsverfahren um den
hohen Anforderungen gerecht zu werden
Die Keramik-Kupfer Kombination liefert für
thermisch und elektrisch gute Leitfähigkeit nahezu ideale Bedingungen. Schon
bei einer Kupferdicke von 50 um werden mehrere 10 Ampere ganz einfach
bewältigt.
Eine immer schwierigere Anforderung ist das unterbringen von moderaten
Stromstärken auf sehr kleinem Raum. Das bewirkt eine hohe Leistungsdichte
auch wenn die eigentliche Leistung nur wenige Watt beträgt. Die
Schaltungseffektivität ist hier ein extrem wichtig Parameter und wird durch
die CPC-Substrate wirkungsvoll optimiert ohne das ein Kompromiss bezüglich
der Effektivität, der Miniaturisierung und des Wärmehaushaltes eingegangen
werden muss.
|