Advanced Interconnection Technology (AIT) Ltd aus Manchester, England hat für Substrate die im Leistungsbereich eingesetzt werden den Initiallayer modifiziert.

Außerdem wurde die Möglichkeit geschaffen unterschiedliche Dicke Metallschichten in einer Schaltung zum Beispiel für den Kontroller und den Leistungsbereich aufzubauen, Skizze siehe unten.

Wichtigste Vorteile

  • KEINE Luftblasen unter der Kupferfläche
  • Unterschiedlich dicke Metallisierung auf einem Substrate, z.B. 10 um bis 300 um
  • Substrat mit Steckerfunktion
  • Endmetallisierung nach Wunsch bzw. Applikation
  • Sehr gute Löteigenschaften, auch für Hochtemperaturlöten
  • Sehr gute Bondeigenschaften, Dünndraht wie Dickdraht

 

Bei der Entwicklung von Powermodulen gibt es vier sehr wichtige Kriterien

  • Die notwendige Wärmeleitfähigkeit durch das Substrat
  • Gute Charakteristik bezüglich der Wärmeverteilung
  • Resistente Leiterbahnen für hohe Ein- und Ausgangsströme
  • Sicheres Fertigungsverfahren um den hohen Anforderungen gerecht zu werden

 

Die Keramik-Kupfer Kombination liefert für thermisch und elektrisch gute Leitfähigkeit nahezu ideale Bedingungen. Schon bei einer Kupferdicke von 50 um werden mehrere 10 Ampere ganz einfach bewältigt.

Eine immer schwierigere Anforderung ist das unterbringen von moderaten Stromstärken auf sehr kleinem Raum. Das bewirkt eine hohe Leistungsdichte auch wenn die eigentliche Leistung nur wenige Watt beträgt. Die Schaltungseffektivität ist hier ein extrem wichtig Parameter und wird durch die CPC-Substrate wirkungsvoll optimiert ohne das ein Kompromiss bezüglich der Effektivität, der Miniaturisierung und des Wärmehaushaltes eingegangen werden muss.